PHI 710扫描俄歇纳米探针的详细资料

• 产品特点

  *SEM空间分辨率AES≤3nm；成分像空间分辨率≤8nm

  俄歇分析通过SEM观察确定分析位置，再进行采谱，成分分布成像和深度剖析。在SEM观察时需要细小的聚焦电子束斑，同时进行俄歇分析，需要非常稳定的电子束。

  SEM成像分辨率可达3纳米左右，PHI 710使用低噪声电源(图1)，采用隔音罩以减小振动、声音、和温度的影响，AES分析时分辨率可达到8nm 以下(20 kV 1nA).图2案例:球墨铸铁断面中晶间杂质的分析。

  从左图所示：二次电子像，在图2中从左到右的影像所示分别为Ca(蓝色) Mg(绿色) Ti(红色)俄歇成分像，叠图以及S的俄歇成分分布像，表明了AES纳米级微区的化学分析能力。

  
  

  *同轴筒镜分析仪CMA实现高灵敏度和高通量分析

同轴筒镜分析仪(CMA:Cylindrical Mirror Analyzer)同轴 CMA 是PHI公司在其电子光谱仪上的重大发明。CMA能各方位360度收集产生的俄歇电子，因此具有不受样品形貌和倾角影响的优点。图3 显示同轴 CMA 和非同轴谱仪SCA的灵敏度比较。CMA 从垂直入射到角度入射均能表现出高灵敏度特点，角度依赖性低，从而采用各种入射角度，分析各种形貌的样品均可得到优异的灵敏度和定量结果。

*比较分析形态复杂的样本

图4比较CMA和传统SCA所采集的球状样品的SEM成像，以及俄歇成分影像，SCA中俄歇成分图的阴影效果非常明显，而CMA在360°收集讯号的能力下所获得的SEM像和俄歇成分像可准确地反映真实结果。

*AES化学态分析，图谱和分布像

PHI710 AES 成分像，每个像素点对应的图谱可对元素存在的化学态进行解析和进阶的化学态成像。

图5显示半导体芯片电极 Si KLL的高能量分辨成分分布图。由Si KLL谱进行最小二乘法拟合(LLS)得出三个主要成分分别为单质硅、氮氧化硅、硅化物，从而可把这三种不同化学态的硅单独输出成像分布图。